TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage


TPH2R506PL_datasheet_en_20191017.pdf?did=55522&prodName=TPH2R506PL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
на замовлення 58000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.48 грн
10000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPH2R506PL,L1Q за ціною від 40.72 грн до 164.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH2R506PL,L1Q TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R506PL_datasheet_en_20191017.pdf?did=55522&prodName=TPH2R506PL Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
на замовлення 58174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.02 грн
10+97.59 грн
100+66.22 грн
500+49.54 грн
1000+45.48 грн
2000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1Q TPH2R506PL,L1Q Toshiba 271E4A7A994B9F969061B36E0E58929D052EB45D5CDA7F0FD381EF2A0C189C50.pdf MOSFETs N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.09 грн
10+103.52 грн
100+61.11 грн
500+48.74 грн
1000+43.60 грн
2500+42.97 грн
5000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1Q TPH2R506PL_datasheet_en_20191017.pdf?did=55522&prodName=TPH2R506PL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
на замовлення 58174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.02 грн
10+97.59 грн
100+66.22 грн
500+49.54 грн
1000+45.48 грн
2000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R506PL,L1Q 271E4A7A994B9F969061B36E0E58929D052EB45D5CDA7F0FD381EF2A0C189C50.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.09 грн
10+103.52 грн
100+61.11 грн
500+48.74 грн
1000+43.60 грн
2500+42.97 грн
5000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.