TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 43.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TPH2R506PL,L1Q за ціною від 43.13 грн до 158.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPH2R506PL,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V |
на замовлення 58708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPH2R506PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W |
на замовлення 18709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPH2R506PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R |
товару немає в наявності |