на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 244+ | 50.98 грн |
| 245+ | 50.83 грн |
| 252+ | 49.34 грн |
| 253+ | 47.42 грн |
| 260+ | 42.63 грн |
| 500+ | 40.78 грн |
| 1000+ | 40.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH2R608NH,L1Q(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 142W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPH2R608NH,L1Q(M за ціною від 43.53 грн до 150.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPH2R608NH,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TPH2R608NH,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance |
на замовлення 2404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPH2R608NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 142W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TPH2R608NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPH2R608NH,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| TPH2R608NH,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
товару немає в наявності |