Продукція > TOSHIBA > TPH2R608NH,L1Q(M
TPH2R608NH,L1Q(M

TPH2R608NH,L1Q(M Toshiba

tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
229+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 229
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R608NH,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 142W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm.

Інші пропозиції TPH2R608NH,L1Q(M за ціною від 38.69 грн до 111.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3622632.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+64.68 грн
500+ 50.86 грн
1000+ 42.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M Виробник : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+67.01 грн
10+ 63.36 грн
25+ 60.71 грн
50+ 56.16 грн
100+ 47.83 грн
250+ 43.22 грн
500+ 40.03 грн
1000+ 38.92 грн
3000+ 38.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M Виробник : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 9549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
115+101.93 грн
123+ 95.1 грн
146+ 80.06 грн
200+ 73 грн
500+ 67.42 грн
1000+ 58.53 грн
2000+ 55.13 грн
5000+ 53.69 грн
Мінімальне замовлення: 115
TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3622632.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+111.77 грн
10+ 87.18 грн
100+ 64.68 грн
500+ 50.86 грн
1000+ 42.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M Виробник : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товар відсутній
TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M Виробник : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
товар відсутній