TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 38.53 грн |
| 10000+ | 35.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V.
Інші пропозиції TPH2R608NH,L1Q за ціною від 35.92 грн до 105.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH2R608NH,L1Q | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance |
на замовлення 5084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
TPH2R608NH,L1Q | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance |
на замовлення 5084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
TPH2R608NH,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V |
на замовлення 117473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
TPH2R608NH,L1Q | Виробник : Toshiba |
MOSFET Power MOSFET N-Channel Single |
на замовлення 14209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
TPH2R608NH,L1Q | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
TPH2R608NH,L1Q | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance |
товар відсутній |