Продукція > TOSHIBA > TPH2R903PL,L1Q(M
TPH2R903PL,L1Q(M

TPH2R903PL,L1Q(M Toshiba

tph2r903pl_datasheet_en_20191030.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 124A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
531+22.96 грн
544+22.40 грн
558+21.83 грн
1000+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 531
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R903PL,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 0.0021 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 124A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 81W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH2R903PL,L1Q(M за ціною від 20.46 грн до 55.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH2R903PL,L1Q(M TPH2R903PL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934799.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 0.0021 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.12 грн
500+22.32 грн
1000+20.54 грн
5000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(M TPH2R903PL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934799.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 0.0021 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.29 грн
35+24.20 грн
100+24.12 грн
500+22.32 грн
1000+20.54 грн
5000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(M TPH2R903PL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA TPH2R903PL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 124A; Idm: 250A; 81W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 124A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 81W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.16 грн
9+46.48 грн
25+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R903PL,L1Q(M TPH2R903PL,L1Q(M Виробник : Toshiba tph2r903pl_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 124A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.