Продукція > TOSHIBA > TPH3300CNH,L1Q
TPH3300CNH,L1Q

TPH3300CNH,L1Q Toshiba

15tph3300cnh_datasheet_en_20140225.pdf.pdf Виробник: Toshiba
TPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+80.70 грн
155+79.89 грн
196+63.13 грн
250+60.27 грн
500+46.78 грн
1000+33.69 грн
3000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3300CNH,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V.

Інші пропозиції TPH3300CNH,L1Q за ціною від 35.39 грн до 105.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH,L1Q Виробник : Toshiba 15tph3300cnh_datasheet_en_20140225.pdf.pdf TPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+105.43 грн
10+86.46 грн
25+85.60 грн
100+65.22 грн
250+59.79 грн
500+48.12 грн
1000+36.10 грн
3000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH,L1Q Виробник : Toshiba 15tph3300cnh_datasheet_en_20140225.pdf.pdf TPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q Виробник : Toshiba 15tph3300cnh_datasheet_en_20140225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14397&prodName=TPH3300CNH Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14397&prodName=TPH3300CNH Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH,L1Q Виробник : Toshiba 3942414232424430463645453041443742363342314545463141354137323743.pdf MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.