Продукція > TOSHIBA > TPH3R003PL,LQ(S
TPH3R003PL,LQ(S

TPH3R003PL,LQ(S TOSHIBA

3934800.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 0.0022 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.89 грн
500+28.97 грн
1000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R003PL,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 0.0022 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 134A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH3R003PL,LQ(S за ціною від 24.91 грн до 83.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH3R003PL,LQ(S TPH3R003PL,LQ(S Виробник : TOSHIBA 3934800.pdf Description: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 0.0022 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.07 грн
16+56.07 грн
100+38.89 грн
500+28.97 грн
1000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQ(S TPH3R003PL,LQ(S Виробник : Toshiba 13312docget.jspdid55430prodnametph3r003pl.jspdid55430prodnametph3r003p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQ(S Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FCF2433EE48C0C4&compId=TPH3R003PL.pdf?ci_sign=fdd7646218cb1f46a34a2f5eb256ec8a2b455bfb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 134A; Idm: 200A; 90W; SOP8
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 90W
Drain current: 134A
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.