TPH3R003PL,LQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 2200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 2200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 54.87 грн |
| 500+ | 40.08 грн |
| 1000+ | 33.80 грн |
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Технічний опис TPH3R003PL,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 2200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 134A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPH3R003PL,LQ(S за ціною від 33.80 грн до 130.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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TPH3R003PL,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 2200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 134A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH3R003PL,LQ(S | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance |
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