Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH3R003PL,LQ
TPH3R003PL,LQ

TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TPH3R003PL_datasheet_en_20161019.pdf?did=55430&prodName=TPH3R003PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.07 грн
10+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPH3R003PL,LQ за ціною від 28.03 грн до 128.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH3R003PL,LQ TPH3R003PL,LQ Виробник : Toshiba TPH3R003PL_datasheet_en_20161019-1075481.pdf MOSFETs N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.74 грн
10+77.92 грн
100+46.42 грн
500+36.56 грн
1000+33.33 грн
3000+28.77 грн
6000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQ TPH3R003PL,LQ Виробник : Toshiba 13312docget.jspdid55430prodnametph3r003pl.jspdid55430prodnametph3r003p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQ TPH3R003PL,LQ Виробник : Toshiba 13312docget.jspdid55430prodnametph3r003pl.jspdid55430prodnametph3r003p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R003PL,LQ TPH3R003PL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R003PL_datasheet_en_20161019.pdf?did=55430&prodName=TPH3R003PL Description: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.