TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.48 грн |
| 10+ | 60.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TPH3R003PL,LQ за ціною від 24.26 грн до 113.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH3R003PL,LQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|