TPH3R10AQM,LQ(M1 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 210W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 210W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.