Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH3R10AQM,LQ
TPH3R10AQM,LQ

TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.12 грн
10+103.76 грн
100+70.79 грн
500+53.61 грн
1000+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3., Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPH3R10AQM,LQ за ціною від 49.44 грн до 193.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM,LQ Виробник : Toshiba TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817-3175374.pdf MOSFETs 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.12 грн
10+122.67 грн
100+72.69 грн
500+58.34 грн
1000+53.19 грн
2500+53.12 грн
5000+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ Виробник : Toshiba tph3r10aqm_datasheet_en_20210817.pdf Silicon N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.