Продукція > TOSHIBA > TPH3R203NL,L1Q
TPH3R203NL,L1Q

TPH3R203NL,L1Q Toshiba

TPH3R203NL_datasheet_en_20191030-1916209.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.72 грн
10+77.58 грн
25+62.33 грн
100+47.31 грн
500+38.26 грн
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R203NL,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPH3R203NL,L1Q за ціною від 24.56 грн до 136.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH3R203NL,L1Q TPH3R203NL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14426&prodName=TPH3R203NL Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.32 грн
10+83.32 грн
100+55.95 грн
500+41.50 грн
1000+37.96 грн
2000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q Виробник : Toshiba TPH3R203NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14426&prodName=TPH3R203NL MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS 4-H) 30V 47A TPH3R203NL,L1Q TOSHIBA TTPH3r203nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R203NL,L1Q TPH3R203NL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14426&prodName=TPH3R203NL Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.