Продукція > TOSHIBA > TPH3R506PL,LQ(S
TPH3R506PL,LQ(S

TPH3R506PL,LQ(S Toshiba

13316docget.jspdid55293prodnametph3r506pl.jspdid55293prodnametph3r506p.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 94A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+150.03 грн
10+134.37 грн
25+124.48 грн
50+111.56 грн
100+90.42 грн
250+79.50 грн
500+71.48 грн
1000+69.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R506PL,LQ(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 116W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.

Інші пропозиції TPH3R506PL,LQ(S за ціною від 69.22 грн до 150.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH3R506PL,LQ(S TPH3R506PL,LQ(S Toshiba 13316docget.jspdid55293prodnametph3r506pl.jspdid55293prodnametph3r506p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 94A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.03 грн
106+134.37 грн
114+124.48 грн
123+111.56 грн
140+90.42 грн
250+79.50 грн
500+71.48 грн
1000+69.22 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA 3934802.pdf Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA 3934802.pdf Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S 13316docget.jspdid55293prodnametph3r506pl.jspdid55293prodnametph3r506p.pdf
TPH3R506PL,LQ(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 94A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+150.03 грн
106+134.37 грн
114+124.48 грн
123+111.56 грн
140+90.42 грн
250+79.50 грн
500+71.48 грн
1000+69.22 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S 3934802.pdf
TPH3R506PL,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S 3934802.pdf
TPH3R506PL,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.