Продукція > TOSHIBA > TPH3R506PL,LQ(S
TPH3R506PL,LQ(S

TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA

3934802.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.89 грн
500+63.64 грн
1000+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 116W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH3R506PL,LQ(S за ціною від 34.69 грн до 183.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH3R506PL,LQ(S TPH3R506PL,LQ(S Виробник : TOSHIBA 3934802.pdf Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.65 грн
10+117.35 грн
100+80.89 грн
500+63.64 грн
1000+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S Виробник : Toshiba TPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
220+57.48 грн
261+48.46 грн
277+45.76 грн
1000+39.82 грн
2000+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S Виробник : Toshiba TPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+78.66 грн
169+75.14 грн
250+72.13 грн
500+67.04 грн
1000+60.05 грн
2500+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S Виробник : Toshiba MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.