Продукція > TOSHIBA > TPH3R506PL,LQ(S
TPH3R506PL,LQ(S

TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA

3934802.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.95 грн
500+58.06 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 116W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH3R506PL,LQ(S за ціною від 33.48 грн до 117.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH3R506PL,LQ(S TPH3R506PL,LQ(S Виробник : TOSHIBA 3934802.pdf Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.70 грн
11+77.63 грн
100+67.95 грн
500+58.06 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S Виробник : Toshiba TPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
220+55.47 грн
261+46.77 грн
277+44.17 грн
1000+38.43 грн
2000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S Виробник : Toshiba TPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+75.91 грн
169+72.52 грн
250+69.61 грн
500+64.70 грн
1000+57.95 грн
2500+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ(S Виробник : Toshiba MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.