Продукція > TOSHIBA > TPH3R506PL,LQ
TPH3R506PL,LQ

TPH3R506PL,LQ Toshiba


13316docget.jspdid55293prodnametph3r506pl.jspdid55293prodnametph3r506p.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 94A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R506PL,LQ Toshiba

Description: MOSFET N-CH 60V 94A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 47A, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPH3R506PL,LQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH3R506PL,LQ TPH3R506PL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 94A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ TPH3R506PL,LQ Виробник : Toshiba TPH3R506PL_datasheet_en_20160901-1916515.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.