TPH3R70APL,L1Q

TPH3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage


TPH3R70APL_datasheet_en_20191017.pdf?did=59335&prodName=TPH3R70APL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPH3R70APL,L1Q за ціною від 47.92 грн до 165.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH3R70APL,L1Q TPH3R70APL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R70APL_datasheet_en_20191017.pdf?did=59335&prodName=TPH3R70APL Description: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 7839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.63 грн
10+97.78 грн
100+67.90 грн
500+53.59 грн
1000+53.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1Q TPH3R70APL,L1Q Виробник : Toshiba TPH3R70APL_datasheet_en_20191017-1568606.pdf MOSFETs SOP8 100V 150A N-CH MOSFET
на замовлення 24521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.25 грн
10+108.88 грн
100+65.83 грн
250+65.76 грн
500+53.36 грн
1000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1Q TPH3R70APL,L1Q Виробник : Toshiba tph3r70apl_datasheet_en_20191017.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.