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Технічний опис TPH3R70APL1,LQ(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 210W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 210W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.
Інші пропозиції TPH3R70APL1,LQ(M за ціною від 95.88 грн до 166.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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TPH3R70APL1,LQ(M | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N) T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH3R70APL1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 210W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
на замовлення 6941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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TPH3R70APL1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 210W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 210W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
на замовлення 6941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TPH3R70APL1,LQ(M |
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Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 85+ | 166.13 грн |
| 100+ | 145.94 грн |
| 250+ | 124.83 грн |
| 500+ | 109.75 грн |
| 1000+ | 95.88 грн |
| TPH3R70APL1,LQ(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsCompliant: Y-EX
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Bauform - Transistor: SOP
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
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| TPH3R70APL1,LQ(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 210W
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Produktpalette: -
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на замовлення 6941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)