Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH3R70APL1,LQ
TPH3R70APL1,LQ

TPH3R70APL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=69027&prodName=TPH3R70APL1 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R70APL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPH3R70APL1,LQ за ціною від 40.68 грн до 165.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Виробник : Toshiba tph3r70apl1_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+53.13 грн
13+49.90 грн
25+49.40 грн
100+47.26 грн
250+43.42 грн
500+41.34 грн
1000+41.01 грн
3000+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Виробник : Toshiba tph3r70apl1_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+53.74 грн
230+53.20 грн
232+52.78 грн
250+50.50 грн
500+46.38 грн
1000+44.17 грн
3000+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Виробник : Toshiba TPH3R70APL1_datasheet_en_20191018-3175294.pdf MOSFETs 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm
на замовлення 9391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.34 грн
10+96.45 грн
100+59.44 грн
500+49.81 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69027&prodName=TPH3R70APL1 Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 8789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.53 грн
10+102.00 грн
100+69.32 грн
500+51.92 грн
1000+47.70 грн
2000+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Виробник : Toshiba tph3r70apl1_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.