Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH3R70APL1,LQ
TPH3R70APL1,LQ

TPH3R70APL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=69027&prodName=TPH3R70APL1 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R70APL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPH3R70APL1,LQ за ціною від 41.67 грн до 171.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Виробник : Toshiba tph3r70apl1_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+54.39 грн
230+53.85 грн
232+53.42 грн
250+51.10 грн
500+46.94 грн
1000+44.70 грн
3000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Виробник : Toshiba tph3r70apl1_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+62.04 грн
13+58.27 грн
25+57.69 грн
100+55.19 грн
250+50.70 грн
500+48.28 грн
1000+47.89 грн
3000+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Виробник : Toshiba TPH3R70APL1_datasheet_en_20191018-3175294.pdf MOSFETs 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm
на замовлення 8484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.66 грн
10+76.14 грн
100+54.40 грн
500+49.44 грн
1000+47.54 грн
2500+46.47 грн
5000+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69027&prodName=TPH3R70APL1 Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 8789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.42 грн
10+105.63 грн
100+71.78 грн
500+53.77 грн
1000+49.40 грн
2000+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Виробник : Toshiba tph3r70apl1_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.