| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.56 грн |
| 10+ | 65.99 грн |
| 100+ | 40.02 грн |
| 500+ | 32.28 грн |
| 1000+ | 28.76 грн |
| 2500+ | 28.27 грн |
| 5000+ | 24.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH4R003NL,L1Q Toshiba
Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TPH4R003NL,L1Q за ціною від 29.29 грн до 109.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH4R003NL,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V |
на замовлення 4032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|