Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH4R003NL,L1Q
TPH4R003NL,L1Q

TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=14427&prodName=TPH4R003NL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 4086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.14 грн
10+67.77 грн
100+46.59 грн
500+35.56 грн
1000+31.58 грн
2000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPH4R003NL,L1Q за ціною від 26.44 грн до 112.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH4R003NL,L1Q TPH4R003NL,L1Q Виробник : Toshiba 1488968C25ECF66F14D5DFE51DF76BD29687B0716912B0891E39FDC1F7E53FD5.pdf MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 68A 6.8nC MOSFET
на замовлення 4014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.88 грн
10+72.11 грн
100+43.43 грн
500+34.97 грн
1000+31.16 грн
2500+30.63 грн
5000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q TPH4R003NL,L1Q Виробник : Toshiba tph4r003nl_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q TPH4R003NL,L1Q Виробник : Toshiba tph4r003nl_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q TPH4R003NL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14427&prodName=TPH4R003NL Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.