TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=14427&prodName=TPH4R003NL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.19 грн
10+60.58 грн
100+40.11 грн
500+29.40 грн
1000+26.75 грн
2000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TPH4R003NL,L1Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH4R003NL,L1Q TPH4R003NL,L1Q Toshiba 1488968C25ECF66F14D5DFE51DF76BD29687B0716912B0891E39FDC1F7E53FD5.pdf MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 68A 6.8nC MOSFET
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R003NL,L1Q 1488968C25ECF66F14D5DFE51DF76BD29687B0716912B0891E39FDC1F7E53FD5.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 68A 6.8nC MOSFET
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.