на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 163.08 грн |
| 10+ | 103.22 грн |
| 25+ | 76.51 грн |
| 100+ | 61.06 грн |
| 250+ | 55.69 грн |
| 500+ | 48.78 грн |
| 1000+ | 44.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH4R008NH1,LQ Toshiba
Description: 80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Ta), 116A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TPH4R008NH1,LQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH4R008NH1,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: 80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |