на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 62.92 грн |
| 140000+ | 57.49 грн |
| 210000+ | 53.50 грн |
| 280000+ | 48.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH4R008QM,LQ(M1 Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSX-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPH4R008QM,LQ(M1 за ціною від 46.60 грн до 82.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPH4R008QM,LQ(M1 | Виробник : Toshiba | TPH4R008QM,LQ(M1 |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TPH4R008QM,LQ(M1 | Виробник : Toshiba | TPH4R008QM,LQ(M1 |
на замовлення 4986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
TPH4R008QM,LQ(M1 | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TPH4R008QM,LQ(M1 | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| TPH4R008QM,LQ(M1 | Виробник : Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE |
товару немає в наявності |