Продукція > TOSHIBA > TPH4R008QM,LQ(M1
TPH4R008QM,LQ(M1

TPH4R008QM,LQ(M1 TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.91 грн
500+39.77 грн
1000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R008QM,LQ(M1 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH4R008QM,LQ(M1 за ціною від 36.36 грн до 96.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH4R008QM,LQ(M1 TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.56 грн
12+68.91 грн
100+51.91 грн
500+39.77 грн
1000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba TPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+61.88 грн
140000+56.54 грн
210000+52.61 грн
280000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba TPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+61.88 грн
20000+56.54 грн
30000+52.61 грн
40000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba TPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+81.34 грн
184+66.37 грн
200+62.06 грн
1000+53.02 грн
2000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.