TPH4R008QM,LQ(M1 TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH4R008QM,LQ(M1 TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 170W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.
Інші пропозиції TPH4R008QM,LQ(M1 за ціною від 52.77 грн до 93.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TPH4R008QM,LQ(M1 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
на замовлення 3175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TPH4R008QM,LQ(M1 | Toshiba | TPH4R008QM,LQ(M1 |
на замовлення 285000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| TPH4R008QM,LQ(M1 | Toshiba | TPH4R008QM,LQ(M1 |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| TPH4R008QM,LQ(M1 | Toshiba | TPH4R008QM,LQ(M1 |
на замовлення 4986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TPH4R008QM,LQ(M1 |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH4R008QM,LQ(M1 |
Виробник: Toshiba
TPH4R008QM,LQ(M1
TPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 71.25 грн |
| 140000+ | 65.10 грн |
| 210000+ | 60.58 грн |
| 280000+ | 55.09 грн |
| TPH4R008QM,LQ(M1 |
Виробник: Toshiba
TPH4R008QM,LQ(M1
TPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 71.25 грн |
| 20000+ | 65.10 грн |
| 30000+ | 60.58 грн |
| 40000+ | 55.09 грн |
| TPH4R008QM,LQ(M1 |
Виробник: Toshiba
TPH4R008QM,LQ(M1
TPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 93.66 грн |
| 184+ | 76.43 грн |
| 200+ | 71.46 грн |
| 1000+ | 61.05 грн |
| 2000+ | 52.77 грн |


