Продукція > TOSHIBA > TPH4R008QM,LQ(M1
TPH4R008QM,LQ(M1

TPH4R008QM,LQ(M1 TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.83 грн
500+50.03 грн
1000+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R008QM,LQ(M1 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSX-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH4R008QM,LQ(M1 за ціною від 43.18 грн до 86.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH4R008QM,LQ(M1 TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+86.29 грн
14+68.15 грн
100+57.83 грн
500+50.03 грн
1000+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba TPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+64.26 грн
140000+58.72 грн
210000+54.64 грн
280000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba TPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+64.26 грн
20000+58.72 грн
30000+54.64 грн
40000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba TPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+84.48 грн
184+68.93 грн
200+64.46 грн
1000+55.07 грн
2000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.