Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH4R008QM,LQ
TPH4R008QM,LQ

TPH4R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=68914&prodName=TPH4R008QM Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V.

Інші пропозиції TPH4R008QM,LQ за ціною від 34.50 грн до 139.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Виробник : Toshiba tph4r008qm_datasheet_en_20200221.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
276+45.97 грн
280+45.26 грн
284+44.55 грн
289+42.28 грн
500+38.51 грн
1000+36.37 грн
3000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Виробник : Toshiba tph4r008qm_datasheet_en_20200221.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+49.25 грн
25+48.49 грн
100+46.03 грн
250+41.94 грн
500+39.61 грн
1000+38.96 грн
3000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Виробник : Toshiba BFFA214E97EB814EEB8244F93D6854B3ABB42B993667B3F757CD45398A82E338.pdf MOSFETs SOP8 N-CH 80V 86A
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.70 грн
10+61.07 грн
100+45.36 грн
500+42.96 грн
1000+40.09 грн
2500+39.45 грн
5000+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68914&prodName=TPH4R008QM Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 5001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.94 грн
10+86.10 грн
100+57.93 грн
500+43.06 грн
1000+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Виробник : Toshiba tph4r008qm_datasheet_en_20200221.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.