Продукція > TOSHIBA > TPH4R008QM,LQ
TPH4R008QM,LQ

TPH4R008QM,LQ Toshiba

tph4r008qm_datasheet_en_20200221.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
276+45.11 грн
280+44.42 грн
284+43.72 грн
289+41.49 грн
500+37.80 грн
1000+35.69 грн
3000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R008QM,LQ Toshiba

Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V.

Інші пропозиції TPH4R008QM,LQ за ціною від 33.07 грн до 74.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Виробник : Toshiba tph4r008qm_datasheet_en_20200221.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+48.33 грн
25+47.59 грн
100+45.17 грн
250+41.16 грн
500+38.88 грн
1000+38.24 грн
3000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68914&prodName=TPH4R008QM Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.70 грн
10+55.50 грн
100+46.54 грн
500+40.99 грн
1000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Виробник : Toshiba BFFA214E97EB814EEB8244F93D6854B3ABB42B993667B3F757CD45398A82E338.pdf MOSFETs SOP8 N-CH 80V 86A
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.48 грн
10+58.54 грн
100+43.48 грн
500+41.18 грн
1000+38.43 грн
2500+37.82 грн
5000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Виробник : Toshiba tph4r008qm_datasheet_en_20200221.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68914&prodName=TPH4R008QM Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.