Продукція > TOSHIBA > TPH4R10ANL,L1Q(M
TPH4R10ANL,L1Q(M

TPH4R10ANL,L1Q(M Toshiba

tph4r10anl_datasheet_en_20191018.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+180.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R10ANL,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 67W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 67W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.

Інші пропозиції TPH4R10ANL,L1Q(M за ціною від 180.25 грн до 180.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH4R10ANL,L1Q(M TPH4R10ANL,L1Q(M Toshiba tph4r10anl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.25 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(M TPH4R10ANL,L1Q(M TOSHIBA 3622637.pdf Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(M TPH4R10ANL,L1Q(M TOSHIBA 3622637.pdf Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 67W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(M tph4r10anl_datasheet_en_20191018.pdf
TPH4R10ANL,L1Q(M
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+180.25 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(M 3622637.pdf
TPH4R10ANL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q(M 3622637.pdf
TPH4R10ANL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 67W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.