TPH4R10ANL,L1Q(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 67W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 80.27 грн |
| 500+ | 59.17 грн |
| 1000+ | 53.07 грн |
| 5000+ | 51.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH4R10ANL,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 67W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 67W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPH4R10ANL,L1Q(M за ціною від 51.44 грн до 181.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPH4R10ANL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TPH4R10ANL,L1Q(M | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance |
на замовлення 4978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| TPH4R10ANL,L1Q(M | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
TPH4R10ANL,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
TPH4R10ANL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; 67W; SOP8A Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A On-state resistance: 6.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 67W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 75nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOP8A |
товару немає в наявності |