Продукція > TOSHIBA > TPH4R10ANL,L1Q(M
TPH4R10ANL,L1Q(M

TPH4R10ANL,L1Q(M TOSHIBA


3622637.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 67W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 7553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.83 грн
500+ 56.35 грн
1000+ 48.59 грн
5000+ 45.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R10ANL,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 67W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 67W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm.

Інші пропозиції TPH4R10ANL,L1Q(M за ціною від 45.16 грн до 123.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH4R10ANL,L1Q(M TPH4R10ANL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3622637.pdf Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 7553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+123.74 грн
10+ 94.84 грн
100+ 66.83 грн
500+ 56.35 грн
1000+ 48.59 грн
5000+ 45.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
TPH4R10ANL,L1Q(M Виробник : Toshiba Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
96+121.89 грн
107+ 110.19 грн
130+ 90.29 грн
200+ 81.53 грн
500+ 75.22 грн
1000+ 64.11 грн
2000+ 59.84 грн
5000+ 58.17 грн
Мінімальне замовлення: 96
TPH4R10ANL,L1Q(M TPH4R10ANL,L1Q(M Виробник : Toshiba tph4r10anl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
товар відсутній
TPH4R10ANL,L1Q(M TPH4R10ANL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA TPH4R10ANL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; 67W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 67W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
TPH4R10ANL,L1Q(M TPH4R10ANL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA TPH4R10ANL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; 67W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 67W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній