Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH4R10ANL,L1Q
TPH4R10ANL,L1Q

TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=55592&prodName=TPH4R10ANL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 4631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.50 грн
10+106.73 грн
100+73.51 грн
500+55.22 грн
1000+49.54 грн
2000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 67W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPH4R10ANL,L1Q за ціною від 45.14 грн до 171.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH4R10ANL,L1Q TPH4R10ANL,L1Q Виробник : Toshiba 93FCF646B10EC744163BF29A6145001A6FA1899020AEAB9E55F879279A355C06.pdf MOSFETs U-MOSVIII-H 100V 92A 75nC MOSFET
на замовлення 9226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.14 грн
10+113.91 грн
100+68.28 грн
500+54.29 грн
1000+52.32 грн
2500+51.19 грн
5000+45.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q TPH4R10ANL,L1Q Виробник : Toshiba tph4r10anl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q TPH4R10ANL,L1Q Виробник : Toshiba tph4r10anl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R10ANL,L1Q TPH4R10ANL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55592&prodName=TPH4R10ANL Description: MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.