Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH4R50ANH,L1Q
TPH4R50ANH,L1Q

TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPH4R50ANH_datasheet_en_20191018.pdf?did=13446&prodName=TPH4R50ANH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+90.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPH4R50ANH,L1Q за ціною від 86.54 грн до 272.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH4R50ANH,L1Q TPH4R50ANH,L1Q Виробник : Toshiba 860A2B70D5F4987C98557FFD099B18589A0E89F702199B23430B48076E0F3793.pdf MOSFETs U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.03 грн
10+167.94 грн
100+106.63 грн
500+101.99 грн
1000+97.36 грн
2500+93.49 грн
5000+86.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1Q TPH4R50ANH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH_datasheet_en_20191018.pdf?did=13446&prodName=TPH4R50ANH Description: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 9455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.47 грн
10+171.76 грн
100+120.33 грн
500+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1Q TPH4R50ANH,L1Q Виробник : Toshiba tph4r50anh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 93A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.