TPH4R50ANH1,LQ(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 147.68 грн |
| 10+ | 95.17 грн |
| 100+ | 63.91 грн |
| 500+ | 45.79 грн |
| 1000+ | 39.38 грн |
| 5000+ | 37.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH4R50ANH1,LQ(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 92A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPH4R50ANH1,LQ(M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH4R50ANH1,LQ(M | Toshiba | UMOS8 100V N-CH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TPH4R50ANH1,LQ(M |
Виробник: Toshiba
UMOS8 100V N-CH
UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.