Продукція > TOSHIBA > TPH4R50ANH1,LQ(M
TPH4R50ANH1,LQ(M

TPH4R50ANH1,LQ(M TOSHIBA

3622638.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.00 грн
500+50.16 грн
1000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R50ANH1,LQ(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 92A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH4R50ANH1,LQ(M за ціною від 40.35 грн до 147.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH4R50ANH1,LQ(M TPH4R50ANH1,LQ(M Виробник : TOSHIBA 3622638.pdf Description: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.85 грн
10+98.28 грн
100+67.00 грн
500+50.16 грн
1000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(M Виробник : Toshiba TPH4R50ANH1,LQ(M
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
232+53.26 грн
252+49.15 грн
259+47.75 грн
500+45.88 грн
1000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ(M TPH4R50ANH1,LQ(M Виробник : Toshiba UMOS8 100V N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.