TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage


datasheet_en_20191017.pdf?did=69024
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPH4R50ANH1,LQ за ціною від 40.81 грн до 138.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH4R50ANH1,LQ TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20191017.pdf?did=69024 Description: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.55 грн
10+85.24 грн
100+57.66 грн
500+43.05 грн
1000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ TPH4R50ANH1,LQ Toshiba 00DF739FCFF795A7FE5EDD5A1B44E6F6DC4F03084CA155E08E661C3A9DEA6CEF.pdf MOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm
на замовлення 5807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ datasheet_en_20191017.pdf?did=69024
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.55 грн
10+85.24 грн
100+57.66 грн
500+43.05 грн
1000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH1,LQ 00DF739FCFF795A7FE5EDD5A1B44E6F6DC4F03084CA155E08E661C3A9DEA6CEF.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm
на замовлення 5807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.