TPH4R803PL,LQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0036 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0036 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
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Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.73 грн |
| 500+ | 21.46 грн |
| 1000+ | 18.39 грн |
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Технічний опис TPH4R803PL,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0036 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPH4R803PL,LQ(S за ціною від 18.39 грн до 49.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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TPH4R803PL,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0036 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| TPH4R803PL,LQ(S | Виробник : Toshiba | TPH4R803PL,LQ(S |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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