Результат пошуку "tph520" : 5

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba TPH5200FNH_datasheet_en_20191018-1916296.pdf MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 25995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.43 грн
10+166.87 грн
50+144.36 грн
100+104.18 грн
500+93.76 грн
1000+91.53 грн
5000+82.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+83.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 14961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.80 грн
10+150.22 грн
100+107.33 грн
500+92.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M Toshiba tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+229.38 грн
110+111.44 грн
120+101.68 грн
200+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH_datasheet_en_20191018-1916296.pdf
TPH5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 25995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.43 грн
10+166.87 грн
50+144.36 грн
100+104.18 грн
500+93.76 грн
1000+91.53 грн
5000+82.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH
TPH5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+83.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH
TPH5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 14961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.80 грн
10+150.22 грн
100+107.33 грн
500+92.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q(M tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+229.38 грн
110+111.44 грн
120+101.68 грн
200+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf
TPH5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.