Результат пошуку "tph520" : 5
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 55
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPH5200FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V |
на замовлення 3107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TPH5200FNH,L1Q | Toshiba |
MOSFETs Power MOSFET N-Channel |
на замовлення 19419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TPH5200FNH,L1Q(M | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R |
на замовлення 664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TPH5200FNH,L1Q | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
TPH5200FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TPH5200FNH,L1Q |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.41 грн |
| 10+ | 154.54 грн |
| 100+ | 110.87 грн |
| 500+ | 92.08 грн |
| TPH5200FNH,L1Q |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 19419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.73 грн |
| 10+ | 170.70 грн |
| 100+ | 106.35 грн |
| 500+ | 95.64 грн |
| 1000+ | 93.35 грн |
| 2500+ | 90.29 грн |
| 5000+ | 81.11 грн |
| TPH5200FNH,L1Q(M |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 222.88 грн |
| 112+ | 108.21 грн |
| 123+ | 98.52 грн |
| 200+ | 77.87 грн |
| TPH5200FNH,L1Q |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH5200FNH,L1Q |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.