Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH5200FNH,L1Q
TPH5200FNH,L1Q

TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+86.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V.

Інші пропозиції TPH5200FNH,L1Q за ціною від 78.09 грн до 232.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Виробник : Toshiba TPH5200FNH_datasheet_en_20191018-1916296.pdf MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 33895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.61 грн
10+160.36 грн
50+137.97 грн
100+101.28 грн
500+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 16366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.61 грн
10+153.20 грн
100+109.33 грн
500+86.42 грн
1000+80.15 грн
2000+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Виробник : Toshiba tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.