Продукція > TOSHIBA > TPH5R906NH,L1Q(M
TPH5R906NH,L1Q(M

TPH5R906NH,L1Q(M TOSHIBA


3934811.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.76 грн
500+49.81 грн
1000+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH5R906NH,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH5R906NH,L1Q(M за ціною від 38.79 грн до 124.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH5R906NH,L1Q(M TPH5R906NH,L1Q(M Виробник : Toshiba 3053docget.jsplangenpidtph5r906nhtypedatasheet.jsplangenpidtph5r906nh.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
164+74.53 грн
193+63.45 грн
225+54.29 грн
237+49.71 грн
500+43.03 грн
1000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q(M TPH5R906NH,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3934811.pdf Description: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.62 грн
10+86.65 грн
100+58.76 грн
500+49.81 грн
1000+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.