TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 52.26 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TPH5R906NH,L1Q за ціною від 48.57 грн до 178.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPH5R906NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V |
на замовлення 24969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPH5R906NH,L1Q | Toshiba |
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET |
на замовлення 2689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TPH5R906NH,L1Q |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 24969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 178.71 грн |
| 10+ | 110.80 грн |
| 100+ | 75.67 грн |
| 500+ | 56.92 грн |
| 1000+ | 52.38 грн |
| 2000+ | 48.57 грн |
| TPH5R906NH,L1Q |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)