Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH5R906NH,L1Q
TPH5R906NH,L1Q

TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPH5R906NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13358&prodName=TPH5R906NH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPH5R906NH,L1Q за ціною від 49.32 грн до 181.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH5R906NH,L1Q TPH5R906NH,L1Q Виробник : Toshiba TPH5R906NH_datasheet_en_20140107-1140024.pdf MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.32 грн
10+89.68 грн
100+53.34 грн
250+53.26 грн
500+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q TPH5R906NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R906NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13358&prodName=TPH5R906NH Description: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 24969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.44 грн
10+112.50 грн
100+76.83 грн
500+57.79 грн
1000+53.19 грн
2000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R906NH,L1Q TPH5R906NH,L1Q Виробник : Toshiba 3053docget.jsplangenpidtph5r906nhtypedatasheet.jsplangenpidtph5r906nh.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.