TPH6400ENH,L1Q(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 57W
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 151.03 грн |
| 10+ | 123.79 грн |
| 100+ | 97.38 грн |
| 500+ | 73.19 грн |
| 1000+ | 52.06 грн |
| 5000+ | 49.66 грн |
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Технічний опис TPH6400ENH,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції TPH6400ENH,L1Q(M за ціною від 49.66 грн до 151.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
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TPH6400ENH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 11018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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