Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH6400ENH,L1Q
TPH6400ENH,L1Q

TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=14398&prodName=TPH6400ENH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.44 грн
10+90.58 грн
50+68.47 грн
100+57.56 грн
500+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.

Інші пропозиції TPH6400ENH,L1Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH,L1Q Toshiba E0A757279DFECE3334B682EBC1FFFA9A6B3CF5B3A5EF4D67665D4D1C71D8EF32.pdf MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6400ENH,L1Q E0A757279DFECE3334B682EBC1FFFA9A6B3CF5B3A5EF4D67665D4D1C71D8EF32.pdf
TPH6400ENH,L1Q
Виробник: Toshiba
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.