Технічний опис TPH6R003NL,LQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 5200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPH6R003NL,LQ(S за ціною від 28.87 грн до 119.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH6R003NL,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 5200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPH6R003NL,LQ(S | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TPH6R003NL,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 5200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|