Продукція > TOSHIBA > TPH6R003NL,LQ(S
TPH6R003NL,LQ(S

TPH6R003NL,LQ(S TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 5200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.53 грн
500+34.66 грн
1000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH6R003NL,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 5200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH6R003NL,LQ(S за ціною від 29.33 грн до 121.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH6R003NL,LQ(S TPH6R003NL,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 5200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.43 грн
11+77.29 грн
100+51.53 грн
500+34.66 грн
1000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R003NL,LQ(S
TPH6R003NL,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 5200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.43 грн
11+77.29 грн
100+51.53 грн
500+34.66 грн
1000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.