TPH6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.88 грн |
| 10+ | 51.35 грн |
| 100+ | 39.93 грн |
| 500+ | 31.76 грн |
| 1000+ | 25.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V.
Інші пропозиції TPH6R003NL,LQ за ціною від 29.40 грн до 128.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH6R003NL,LQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 34W 1050pF 57A 30V |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|