Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH6R003NL Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 117A, Power dissipation: 34W, Polarisation: unipolar, Drain current: 57A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOP8, On-state resistance: 8.3mΩ.
Інші пропозиції TPH6R003NL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH6R003NL,LQ(S | TOSHIBA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8 Mounting: SMD Pulsed drain current: 117A Power dissipation: 34W Polarisation: unipolar Drain current: 57A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOP8 On-state resistance: 8.3mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| TPH6R003NL,LQ(S |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Drain current: 57A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 8.3mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Drain current: 57A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 8.3mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.