Продукція > TOSHIBA > TPH6R004PL,LQ(S
TPH6R004PL,LQ(S

TPH6R004PL,LQ(S TOSHIBA


3934813.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.89 грн
500+27.27 грн
1000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH6R004PL,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 81W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH6R004PL,LQ(S за ціною від 22.16 грн до 94.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH6R004PL,LQ(S TPH6R004PL,LQ(S Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.44 грн
14+59.38 грн
100+39.46 грн
500+26.46 грн
1000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.