TPH6R008QM,LQ(M1 TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Verlustleistung: 135W
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Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
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Технічний опис TPH6R008QM,LQ(M1 TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 135W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.
Інші пропозиції TPH6R008QM,LQ(M1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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TPH6R008QM,LQ(M1 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 135W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm |
на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TPH6R008QM,LQ(M1 |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: Y-EX
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Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
Description: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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euEccn: NLR
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)