Продукція > TOSHIBA > TPH6R008QM,LQ
TPH6R008QM,LQ

TPH6R008QM,LQ Toshiba

486351132929CF335F46553FBAC824123A7C54A8E0FF9459FF2DD6464B162775.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH6R008QM,LQ Toshiba

Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TPH6R008QM,LQ за ціною від 24.84 грн до 111.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH6R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.61 грн
10+66.04 грн
25+55.30 грн
100+40.43 грн
250+34.79 грн
500+31.32 грн
1000+27.94 грн
2500+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.61 грн
10+66.04 грн
25+55.30 грн
100+40.43 грн
250+34.79 грн
500+31.32 грн
1000+27.94 грн
2500+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.