Продукція > TOSHIBA > TPH7R006PL,L1Q(M
TPH7R006PL,L1Q(M

TPH7R006PL,L1Q(M Toshiba

tph7r006pl_datasheet_en_20191018.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
501+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH7R006PL,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 81W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 81W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm.

Інші пропозиції TPH7R006PL,L1Q(M за ціною від 37.21 грн до 80.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH7R006PL,L1Q(M TPH7R006PL,L1Q(M Toshiba tph7r006pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
299+47.10 грн
311+45.22 грн
500+43.59 грн
1000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 299 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M TPH7R006PL,L1Q(M Toshiba tph7r006pl_datasheet_en_20191018.pdf MOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+80.64 грн
233+60.32 грн
274+51.33 грн
500+42.36 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M TPH7R006PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M TPH7R006PL,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M tph7r006pl_datasheet_en_20191018.pdf
TPH7R006PL,L1Q(M
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
299+47.10 грн
311+45.22 грн
500+43.59 грн
1000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 299 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M tph7r006pl_datasheet_en_20191018.pdf
TPH7R006PL,L1Q(M
Виробник: Toshiba
MOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
175+80.64 грн
233+60.32 грн
274+51.33 грн
500+42.36 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M
TPH7R006PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q(M
TPH7R006PL,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.