Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH7R006PL,L1Q
TPH7R006PL,L1Q

TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=55699&prodName=TPH7R006PL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 81W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPH7R006PL,L1Q за ціною від 28.15 грн до 95.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH7R006PL,L1Q TPH7R006PL,L1Q Toshiba tph7r006pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55699&prodName=TPH7R006PL Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 8693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+58.19 грн
50+43.31 грн
100+36.12 грн
500+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q TPH7R006PL,L1Q Toshiba 531D43188095AF98A7F95B4A877BBDA106E3C8974130BFD650E42CFF711DC9F2.pdf MOSFETs N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q TPH7R006PL,L1Q Toshiba tph7r006pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q tph7r006pl_datasheet_en_20191018.pdf
TPH7R006PL,L1Q
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
489+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q docget.jsp?did=55699&prodName=TPH7R006PL
TPH7R006PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 8693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.63 грн
10+58.19 грн
50+43.31 грн
100+36.12 грн
500+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q 531D43188095AF98A7F95B4A877BBDA106E3C8974130BFD650E42CFF711DC9F2.pdf
TPH7R006PL,L1Q
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q tph7r006pl_datasheet_en_20191018.pdf
TPH7R006PL,L1Q
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.