Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH7R006PL,L1Q
TPH7R006PL,L1Q

TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=55699&prodName=TPH7R006PL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.42 грн
10000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 81W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TPH7R006PL,L1Q за ціною від 18.92 грн до 92.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH7R006PL,L1Q TPH7R006PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55699&prodName=TPH7R006PL Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.07 грн
10+50.44 грн
100+33.26 грн
500+24.25 грн
1000+22.02 грн
2000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q TPH7R006PL,L1Q Виробник : Toshiba 531D43188095AF98A7F95B4A877BBDA106E3C8974130BFD650E42CFF711DC9F2.pdf MOSFETs N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.71 грн
10+57.10 грн
100+32.70 грн
500+25.32 грн
1000+21.10 грн
2500+20.82 грн
5000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q TPH7R006PL,L1Q Виробник : Toshiba tph7r006pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.