
TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 75.60 грн |
10+ | 45.14 грн |
100+ | 29.47 грн |
500+ | 21.33 грн |
1000+ | 19.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V.
Інші пропозиції TPH7R204PL,LQ за ціною від 18.54 грн до 76.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPH7R204PL,LQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 19970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TPH7R204PL,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |