Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH8R008NH,L1Q
TPH8R008NH,L1Q

TPH8R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=12775&prodName=TPH8R008NH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+45.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH8R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V.

Інші пропозиції TPH8R008NH,L1Q за ціною від 43.27 грн до 104.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH8R008NH,L1Q TPH8R008NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12775&prodName=TPH8R008NH Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.72 грн
10+ 90.48 грн
100+ 72.76 грн
500+ 56.1 грн
1000+ 46.48 грн
2000+ 43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH8R008NH,L1Q TPH8R008NH,L1Q Виробник : Toshiba TPH8R008NH_datasheet_en_20140218-1139919.pdf MOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W
товар відсутній