Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH8R903NL,LQ
TPH8R903NL,LQ

TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R903NL_datasheet_en_20140218.pdf?did=14068&prodName=TPH8R903NL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.46 грн
10+39.16 грн
100+25.80 грн
500+18.83 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPH8R903NL,LQ за ціною від 19.42 грн до 75.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH8R903NL,LQ TPH8R903NL,LQ Виробник : Toshiba TPH8R903NL_datasheet_en_20140218-1915982.pdf MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.87 грн
10+48.99 грн
100+29.13 грн
250+29.06 грн
500+23.03 грн
1000+21.41 грн
3000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R903NL,LQ TPH8R903NL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL_datasheet_en_20140218.pdf?did=14068&prodName=TPH8R903NL Description: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.