TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.08 грн |
| 10+ | 38.93 грн |
| 100+ | 25.65 грн |
| 500+ | 18.72 грн |
| 1000+ | 17.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TPH8R903NL,LQ за ціною від 21.94 грн до 83.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH8R903NL,LQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V |
на замовлення 1763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|