| Кількість | Ціна без ПДВ |
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| 500+ | 134.81 грн |
| 1000+ | 120.76 грн |
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Технічний опис TPH9R00CQ5,LQ(M1 Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 210W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm.
Інші пропозиції TPH9R00CQ5,LQ(M1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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TPH9R00CQ5,LQ(M1 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 210W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm |
на замовлення 4373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TPH9R00CQ5,LQ(M1 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 210W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm |
на замовлення 4373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TPH9R00CQ5,LQ(M1 |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 4373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH9R00CQ5,LQ(M1 |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 4373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




