Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH9R00CQ5,LQ
TPH9R00CQ5,LQ

TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TPH9R00CQ5_datasheet_en_20230412.pdf?did=144023&prodName=TPH9R00CQ5 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V.

Інші пропозиції TPH9R00CQ5,LQ за ціною від 72.04 грн до 237.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH9R00CQ5,LQ TPH9R00CQ5,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5_datasheet_en_20230412.pdf?did=144023&prodName=TPH9R00CQ5 Description: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.80 грн
10+149.33 грн
100+122.34 грн
500+90.51 грн
1000+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQ5,LQ TPH9R00CQ5,LQ Виробник : Toshiba TPH9R00CQ5_datasheet_en_20230412-3224829.pdf MOSFETs 150V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 9mohm
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.46 грн
10+160.81 грн
50+121.53 грн
100+117.14 грн
500+95.18 грн
1000+87.12 грн
5000+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.