Продукція > TOSHIBA > TPH9R00CQH,LQ(M1
TPH9R00CQH,LQ(M1

TPH9R00CQH,LQ(M1 Toshiba

tph9r00cqh_datasheet_en_20210316.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 150V 108A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
103+136.72 грн
108+130.61 грн
250+125.37 грн
500+116.53 грн
1000+104.38 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH9R00CQH,LQ(M1 Toshiba

Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 9000 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, Verlustleistung: 3W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

Інші пропозиції TPH9R00CQH,LQ(M1 за ціною від 191.55 грн до 256.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH9R00CQH,LQ(M1 TPH9R00CQH,LQ(M1 Toshiba tph9r00cqh_datasheet_en_20210316.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 108A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+256.44 грн
61+233.73 грн
66+216.05 грн
71+191.55 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ(M1 TPH9R00CQH,LQ(M1 TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 9000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ(M1 TPH9R00CQH,LQ(M1 TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 9000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ(M1 tph9r00cqh_datasheet_en_20210316.pdf
TPH9R00CQH,LQ(M1
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 150V 108A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+256.44 грн
61+233.73 грн
66+216.05 грн
71+191.55 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ(M1
TPH9R00CQH,LQ(M1
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 9000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ(M1
TPH9R00CQH,LQ(M1
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 9000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.