TPH9R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.92 грн |
| 9000+ | 18.71 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH9R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TPH9R506PL,LQ за ціною від 25.11 грн до 87.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPH9R506PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V |
на замовлення 15811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TPH9R506PL,LQ | Toshiba |
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR |
на замовлення 14247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TPH9R506PL,LQ |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
на замовлення 15811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.00 грн |
| 10+ | 52.38 грн |
| 50+ | 38.86 грн |
| 100+ | 32.35 грн |
| 500+ | 25.11 грн |
| TPH9R506PL,LQ |
|
Виробник: Toshiba
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 14247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)