на замовлення 14247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.67 грн |
| 10+ | 64.81 грн |
| 100+ | 43.26 грн |
| 500+ | 34.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH9R506PL,LQ Toshiba
Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TPH9R506PL,LQ за ціною від 25.35 грн до 77.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH9R506PL,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V |
на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TPH9R506PL,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |