Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPHR6503PL,L1Q
TPHR6503PL,L1Q

TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR6503PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=35760&prodName=TPHR6503PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+57.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPHR6503PL,L1Q за ціною від 60.25 грн до 199.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPHR6503PL,L1Q TPHR6503PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=35760&prodName=TPHR6503PL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 30040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.19 грн
10+117.60 грн
100+82.75 грн
500+64.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1Q TPHR6503PL,L1Q Виробник : Toshiba TPHR6503PL_datasheet_en_20191018-948094.pdf MOSFETs 30 Volt N-Channel
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.02 грн
10+130.50 грн
100+79.80 грн
500+64.72 грн
1000+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1Q TPHR6503PL,L1Q Виробник : Toshiba tphr6503pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1Q TPHR6503PL,L1Q Виробник : Toshiba tphr6503pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.