на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 24.38 грн |
| 10000+ | 23.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPHR9003NL,L1Q(M Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 220A; 78W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MOSFET, Polarisation: N, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 220A, Power dissipation: 78W, Gate-source voltage: 20V, Mounting: SMD, Gate charge: 74nC, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції TPHR9003NL,L1Q(M за ціною від 25.14 грн до 99.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPHR9003NL,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TPHR9003NL,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| TPHR9003NL,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
N-MOSFET 30V 60A 1.6W 0.9mΩ TPHR9003NL,L1Q Toshiba TTPHR9003nl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| TPHR9003NL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 220A; 78W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 30V Drain current: 220A Power dissipation: 78W Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Gate charge: 74nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|