Продукція > TOSHIBA > TPHR9003NL1,LQ(M
TPHR9003NL1,LQ(M

TPHR9003NL1,LQ(M TOSHIBA

3622643.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 770 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 770µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00077ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.92 грн
500+96.82 грн
1000+82.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPHR9003NL1,LQ(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 770 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 770µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00077ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPHR9003NL1,LQ(M за ціною від 74.31 грн до 243.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPHR9003NL1,LQ(M TPHR9003NL1,LQ(M Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 770 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00077ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+243.58 грн
10+152.98 грн
100+123.92 грн
500+96.82 грн
1000+82.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(M Виробник : Toshiba TPHR9003NL1,LQ(M
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+107.37 грн
121+102.56 грн
250+98.45 грн
500+91.51 грн
1000+81.97 грн
2500+76.36 грн
5000+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(M Виробник : Toshiba MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.