Продукція > TOSHIBA > TPHR9003NL1,LQ(M
TPHR9003NL1,LQ(M

TPHR9003NL1,LQ(M TOSHIBA

3622643.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 770 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 770µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPHR9003NL1,LQ(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 770 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 770µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPHR9003NL1,LQ(M за ціною від 76.25 грн до 258.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPHR9003NL1,LQ(M TPHR9003NL1,LQ(M Виробник : TOSHIBA 3622643.pdf Description: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 770 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.60 грн
10+158.93 грн
100+131.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(M Виробник : Toshiba TPHR9003NL1,LQ(M
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+110.18 грн
121+105.25 грн
250+101.03 грн
500+93.91 грн
1000+84.11 грн
2500+78.36 грн
5000+76.25 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(M Виробник : Toshiba MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.