Продукція > TOSHIBA > TPHR9203PL,L1Q
TPHR9203PL,L1Q

TPHR9203PL,L1Q Toshiba

TPHR9203PL_datasheet_en_20191018-1075440.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 30V 5800pF 81nC 280A 132W
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.33 грн
10+91.37 грн
100+63.49 грн
500+51.06 грн
1000+43.33 грн
5000+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPHR9203PL,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Power Dissipation (Max): 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPHR9203PL,L1Q за ціною від 42.68 грн до 160.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPHR9203PL,L1Q TPHR9203PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=53586&prodName=TPHR9203PL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.75 грн
10+98.93 грн
100+67.17 грн
500+50.25 грн
1000+46.14 грн
2000+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1Q TPHR9203PL,L1Q Виробник : Toshiba tphr9203pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1Q TPHR9203PL,L1Q Виробник : Toshiba tphr9203pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1Q TPHR9203PL,L1Q Виробник : Toshiba tphr9203pl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1Q TPHR9203PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=53586&prodName=TPHR9203PL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.